[위클리서울=정상훈 기자] 삼성전자가 25일 경기도 화성캠퍼스 V1라인(EUV 전용)에서 차세대 트랜지스터 GAA (Gate All Around) 기술을 적용한 3나노 파운드리 제품 출하식을 개최했다.
삼성전자 파운드리사업부는 ‘혁신적인 기술력으로 세계 최고를 향해 나아가겠다’란 자신감과 함께, 3나노 GAA 공정 양산과 선제적인 파운드리 기술로 사업 경쟁력을 강화해 나가겠다는 포부를 밝혔다.
이날 행사는 산업통상자원부 이창양 장관, 협력사, 팹리스, 삼성전자 DS 부문장 경계현 대표이사(사장)와 임직원 등 100여 명이 참석해 3나노 GAA 연구개발과 양산에 참여한 임직원들을 격려했다.
삼성전자는 GAA 트랜지스터 구조 연구를 2000년대 초부터 시작했다. 2017년부터 3나노 공정에 본격 적용해 지난달 세계 최초로 GAA 기술이 적용된 3나노 공정 양산을 발표했고, 3나노 GAA 공정을 고성능 컴퓨팅(HPC)에 처음으로 적용했다. 주요 고객들과 모바일 SoC 제품 등 다양한 제품군에 확대 적용을 위해 협력하고 있다.
한편 삼성전자는 화성캠퍼스에서 3나노 GAA 파운드리 공정 제품 양산을 시작했다. 향후 평택 캠퍼스까지 확대해 나갈 계획이다.
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